رشد و بررسي خواص نانو اپتوالکترونيکي لايه هاي نازک رساناهاي شفاف – اکسيد فلزات و پليمر هاي رسانا

اکسید های هادی و شفاف (TCO) به علت ویژگی های منحصر بفرد و کاربرد های بسیار زیاد در صنعت میکرو و نانو الکترونیک، از اهمیت ویژه ای برخوردار می باشند. دو ویژگی بسیار مهم TCO ها هدایت الکتریکی و شفافیت نوری بسیار بالای آنها می باشد. با پیشرفت روز افزون صنعت الکترونیک و افزایش راندمان کاری و کاهش ابعاد قطعات مورد نیاز و همچنین بحث مجتمع سازی ادوات الکترونیک خلاء، انواع مختلفی از اکسیدهای هادی و شفاف با کیفیت و کارآیی بالاتر شناسایی و ساخته شده اند. از اکسیدهای شفاف و هادی بطور گسترده ای در ساخت نمایشگر های LCD، LED ، پلاسما و … استفاده شده است.

هدف از انجام این پروژه، رشد و بررسی خواص اپتوالکترونیکی لایه نازک ITO می باشد. با توجه به اینکه، یکی از روش های متداول برای لایه نشانی لایه های نازک ، روش تبخیر فیزیکی بوسیله باریکه الکترونی می باشد و همچنین با توجه به در دسترس بودن سیستم تبخیر الکترونی، در این پروژه از روش تبخیر الکترونی برای لایه نشانی ITO استفاده می شود. سپس برای بررسی اثر پختن و گذراندن گاز اکسیژن از روی لایه ها، نمونه ها را در کوره قرار داده و میزان شار عبوری اکسیژن و دما را تغییر می دهیم. در مرحله بعد، از نمونه ها آنالیزهای XRD ، Spectrophotometry ، probe Four-point.، SEM، EDX و AFM گرفته می شود. در این روش ما قادر به ساخت لایه نازک ITO با شفافیت بالای %90 و مقاومت الکتریکی سطحی کمتر از cm.Ω شده ایم.

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *