مطالعات Ab initio و DFT بر روی ترانزیستورهای NPN و PNP متصل به نانوتیوب¬های کربن با استفاده از ناخالصی های ژرمانیم و قلع

در این مطالعه، به منظور بررسی اثر وارد کردن ناخالصی های قلع و ژرمانیم روی خواص ترانزیستوری p-n-p و n-p-n  نانولوله­های کربنی، ساختار و خواص الکترونی تعدادی از نانولوله­های آلائیده با عناصری همچون بور، نیتروژن، قلع و ژرمانیم با استفاده از روش تئوری تابع چگالی) DFT) و با استفاده از نرم افزار گوسین، مورد مطالعه قرار گرفته است. نتایج نشان می دهد که برخلاف انتظار، وارد کردن اتم هایی همچون قلع و ژرمانیم ( که فلز هستند) به ساختارهای نانولوله، هدایت الکتریکی درون ساختاری را، افزایش نمی­دهد بلکه کاهش چشمگیری در هدایت الکتریکی چنین ساختارهایی، می توان مشاهده نمود.

محاسبات تئوری تابع چگالی وابسته به زمان) (TD-DFT انجام شده روی این ساختارها نشان می دهد که ساختارهایی با آلائیدگی قلع و ژرمانیم، جذب اپتیکی در رنج طول موج های مادون قرمز متوسط (MIR) را نشان می­دهند که در صنعت اپتوالکترونیک، کاربرد قابل توجهی را می توانند به خود اختصاص دهند.