مطالعات Ab initio و DFT بر روی ترانزیستورهای NPN و PNP متصل به نانوتیوب¬های کربن با استفاده از ناخالصی های ژرمانیم و قلع
در این مطالعه، به منظور بررسی اثر وارد کردن ناخالصی های قلع و ژرمانیم روی خواص ترانزیستوری p-n-p و n-p-n نانولولههای کربنی، ساختار و خواص الکترونی تعدادی از نانولولههای آلائیده با عناصری همچون بور، نیتروژن، قلع و ژرمانیم با استفاده از روش تئوری تابع چگالی) DFT) و با استفاده از نرم افزار گوسین، مورد مطالعه قرار گرفته است. نتایج نشان می دهد که برخلاف انتظار، وارد کردن اتم هایی همچون قلع و ژرمانیم ( که فلز هستند) به ساختارهای نانولوله، هدایت الکتریکی درون ساختاری را، افزایش نمیدهد بلکه کاهش چشمگیری در هدایت الکتریکی چنین ساختارهایی، می توان مشاهده نمود.
محاسبات تئوری تابع چگالی وابسته به زمان) (TD-DFT انجام شده روی این ساختارها نشان می دهد که ساختارهایی با آلائیدگی قلع و ژرمانیم، جذب اپتیکی در رنج طول موج های مادون قرمز متوسط (MIR) را نشان میدهند که در صنعت اپتوالکترونیک، کاربرد قابل توجهی را می توانند به خود اختصاص دهند.